部  门： 微电子科学与工程系

职  称： 讲师

邮  箱：   yanghongjiao2004@xtu.edu.cn

办公室：物理楼619

杨红姣，硕士生导师，九三学社社员，湖南省仪器仪表学会理事

学习工作经历

2003年7月—至今           qy球友会 任教

2014年9月—2019年6月    qy球友会 凝聚态物理 博士毕业

2004年9月—2007年6月    qy球友会 微电子学与固体电子学 硕士毕业

1999年9月—2003年6月    qy球友会 测控技术与仪器专业 本科毕业

研究方向

集成电路设计，集成电路片上静电保护和高压静电保护器件

科研项目

[1]        湖南省教育厅优秀青年项目，用于单芯片集成三维成像系统的单光子雪崩二极管的最小尺寸及其性能研究，19B557，2019-2021。

[2]        湖南省教育厅一般项目，基于BJT的高阶电流模式对数域滤波器设计，08C865，2008-2010。

[3]        qy球友会博士启动基金项目，基于深亚微米CMOS工艺的单光子雪崩二极管性能研究，19QDZ54，2019-2024。

[4]        qy球友会科研项目，用于单芯片集成三维成像系统的单光子雪崩二极管的优化设，16XZX07，2017。

[5]        省科技厅项目，车用超高压新型可控硅 ESD器件及其维持电压估算模型研究，2019JJ50609，2019-2021，参与。

[6]        国家自然科学基金青年科学基金项目，嵌套型双向可控硅TVS器件及其片上集成技术研究，61704145，2018-2020，参与。

[7]        国家自然科学基金面上项目，极弱光光电探测器关键技术探索与信号处理电路单芯片集成研究，61774129，2018-2021，参与。

[8]        国家自然科学基金面上项目，多涡卷混沌吸引子特性及忆阻型生成电路设计与应用研究，61471310，2014-2018，参与。

[9]        湖南省自然科学基金青年基金项目，20位高性能Sigma-Delta调制器的研究，12JJ4064，2012-2014，参与。

[10]   湖南省教育厅重点项目，高性能紫外探测器新结构及其CMOS读出电路研究，11A116，2011-2013、参与。

代表性成果（专著、论文和专利等）

[1]        YANG   Hong-Jiao, JIN Xiang-Liang*, Minimization design of guard ring size of   p-well/DNW single photon avalanche diode, Journal of Infrared   and Millimeter Waves, 37(5): 527-532, 2018.

[2]        Hong-Jiao Yang, Xiang-Liang Jin*, Device and mixed-mode   simulations of single photon avalanche diode, IEEE International Conference   on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016.10.25 -2016.10.28. Hangzhou, China, 2017.

[3]        Hongjiao Yang, Xiangliang Jin*, Lizhen Tang, Weihui Liu, Jia   Yang, Simulation and Analysis of P+/N SPAD for 3D Imaging, 11th IEEE   International Conference on ASIC (ASICON 2015), 2015.11.3 -2015.11.6.   Chengdu, China, 2016.

[4]        Yang Hong-jiao, Jin Xiang-liang*, Zhou Xiao-ya, Chen   Chang-ping, Luo Jun, Verilog-A modeling of SPAD for circuit simulations,   International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging 2013   (ISPDI2013), 2013.6.25- 2013.6.27.Beijing，China，2013.

[5]      金湘亮，杨红姣，一种基于CMOS图像传感器工艺的NP型单光子雪崩二极管，2017.9.12，中国，ZL   201410846149.1。

[6]        金湘亮，杨红姣，sen保护环n+/p-well   SPAD器件，2018.7.12，BS.185003249。集成电路布图登记。

[7]        金湘亮，杨红姣，p-sub保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003230。集成电路布图登记。

[8]        金湘亮，杨红姣，低噪声sen保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003265。集成电路布图登记。

[9]        金湘亮，杨红姣，低噪声n-well保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003257。集成电路布图登记。

[10]   金湘亮，杨红姣，n-well保护环n+/p-well SPAD器件，2018.2.27，BS.185000177。集成电路布图登记。

荣誉奖励

[1]      金湘亮，杨红姣，陈长平，江震宇，赵永嘉，陆雪明，王广武，面向极弱光新型硅基光电探测器及CMOS集成读出电路研发，中国电子学会，中国电子学会科学技术奖，三等奖，2015年。

[2]      金湘亮，汪洋，谢亮，杨红姣，崔杨，刘航，马铭麟，高压工艺用芯片级集成的静电释放器件新技术与应用，湖南省人民政府，湖南省科学技术进步奖，三等奖，2015年。